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SK
하이닉스가 개발한
HBM3E
D램. (사진
SK
하이닉스)
SK
하이닉스가 고대역폭 메모리(
HBM
) 5세대인
HBM3E
D램을 가장 먼저 엔비디아에 납품한다.
SK
하이닉스는 초고성능
AI
용 메모리 신제품인
HBM3E
를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월
HBM3E
개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다.
HBM
(
High
Bandwidth
Memory
)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다.
HBM
은 1세대(
HBM
)
-2
세대(
HBM2
)
-3
세대(
HBM2E
)
-4
세대(
HBM3
)
-5
세대(
HBM3E
) 순으로 개발되고 있으며,
HBM3E
는
HBM3
의 확장 버전으로 분류된다.
SK
하이닉스는 "당사는
HBM3
에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된
HBM3E
역시 가장 먼저 고객에게 공급하게 됐다"며 "
HBM3E
양산도 성공적으로 진행해
AI
메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다"고 밝혔다.
엄청난 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는
AI
시스템을 구현하기 위해서는 수많은
AI
프로세서와 메모리를 다중 연결(
Multi-connection
)하는 식으로 반도체 패키지가 구성돼야 한다. 따라서
AI
에 투자를 늘리고 있는 글로벌 빅테크 기업들은
AI
반도체 성능에 대한 요구 수준을 계속 높여가고 있으며,
HBM3E
는 이를 충족시켜 줄 현존 최적의 제품이 될 것으로
SK
하이닉스는 기대하고 있다.
HBM3E
는 속도와 발열 제어 등
AI
메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 회사는 강조했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는
FHD
(
Full-HD
)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.
또,
AI
메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. 회사는 이를 위해 신제품에 첨단 '매스 리플로우-몰디드 언더필(
MR-MUF
)' 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상했다.
MR-MUF
는 칩과 기판 사이에 사용돼, 열 변화에 민감한 재료들 사이의 불안정성 줄이고, 칩과 기판 사이의 기계적 강도를 향상시키는 데 유용하다.
류성수
SK
하이닉스 부사장은 "세계 최초
HBM3E
양산을 통해
AI
메모리 업계를 선도하는 제품군을 한층 강화했다"며 "그동안 축적해 온 성공적인
HBM
비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털
AI
메모리 제공자'로서의 위상을 굳혀 나가겠다"고 말했다.
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(연예인)
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